原標(biāo)題：資料中心客制化程度提高 次世代存儲(chǔ)器有望2020年持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用
自2016年以來物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)興起，帶動(dòng)全球物聯(lián)網(wǎng)裝置數(shù)量爆發(fā)性成長(zhǎng)，產(chǎn)生的巨量資料也成為深度學(xué)習(xí)的重要因素，有助AI發(fā)展，而大量資料的處理亦推升運(yùn)算與儲(chǔ)存需求，高效能運(yùn)算應(yīng)運(yùn)而生。高效能運(yùn)算需仰賴存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)，催生出各類型的次世代存儲(chǔ)器技術(shù)，找出效能更好的存儲(chǔ)器解決方案也成為存儲(chǔ)器廠商首要任務(wù)。
什么是次世代存儲(chǔ)器？次世代存儲(chǔ)器技術(shù)其實(shí)就是指新時(shí)代新的存儲(chǔ)技術(shù)，包括相變存儲(chǔ)器(PCM)、鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM或ReRAM)等眾多新型技術(shù)。
相變存儲(chǔ)pcm與閃存、DRAM及多級(jí)相變存儲(chǔ)比較
高效能運(yùn)算成為新世代科技發(fā)展重要項(xiàng)目
為了滿足日益繁重的資料處理需求及工作負(fù)荷，運(yùn)算能力持續(xù)演進(jìn)，從超越PC的功能型運(yùn)算慢慢走向工作站，再到企業(yè)用服務(wù)器。近年隨著智能型連網(wǎng)裝置推陳出新與普及，網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的導(dǎo)入逐漸演變成服務(wù)器群組或資料中心，未來網(wǎng)絡(luò)工作量將持續(xù)增加，呈現(xiàn)算力集中化趨勢(shì)，由邊緣處理重要且實(shí)時(shí)但非隱私的資料；中央(高效能運(yùn)算與云端)則處理機(jī)密、非實(shí)時(shí)的資料，高效能運(yùn)算的重要性不言而喻。
高效能運(yùn)算可在有限或較短時(shí)間完成復(fù)雜或大量運(yùn)算工作，提高應(yīng)用程序的處理能力，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋機(jī)器學(xué)習(xí)、深度學(xué)習(xí)、物聯(lián)生活與智慧城市等。上述應(yīng)用服務(wù)需倚賴龐大數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算與訓(xùn)練，大部分藉由服務(wù)器進(jìn)行統(tǒng)合；此外，伴隨著虛擬化平臺(tái)及云儲(chǔ)存技術(shù)發(fā)展，服務(wù)器需求與日俱增，也帶動(dòng)超大規(guī)模資料中心(Hyperscale Datacenter)成長(zhǎng)，根據(jù)拓墣調(diào)查顯示，全球超大規(guī)模資料中心的建置數(shù)量于2025年預(yù)計(jì)將達(dá)1,070座，2016～2025年CAGR達(dá)13.7%。
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)對(duì)高效能運(yùn)算的新解
在高效能運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)與智慧應(yīng)用的推波助瀾下，次世代存儲(chǔ)器找到立足之地并逐漸嶄露頭角。
次世代存儲(chǔ)器技術(shù)包括相變存儲(chǔ)器(PCM)、鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)、磁阻RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM或ReRAM)等眾多新型技術(shù)，目前Intel、Samsung與Micron等存儲(chǔ)器廠商皆已投入發(fā)展相關(guān)解決方案。以Intel的Optane為例，是以3D XPoint為設(shè)計(jì)基礎(chǔ)的服務(wù)器類產(chǎn)品，由于現(xiàn)在已經(jīng)推出與市面上服務(wù)器模塊能完全兼容的DIMM，對(duì)主機(jī)板設(shè)計(jì)廠而言，同樣的插槽可依據(jù)整機(jī)成本考量，自由更換服務(wù)器存儲(chǔ)器模塊或Optane解決方案。
3D XPoint為一種非揮發(fā)式存儲(chǔ)器，與NAND Flash相比，讀寫速度相差1,000倍，使用壽命較NAND Flash更長(zhǎng)，但3D XPoint和NAND Flash的應(yīng)用場(chǎng)域仍有差距，而且NAND Flash具有高度規(guī)?；皢挝蝗萘勘阋说膬?yōu)勢(shì)，短期內(nèi)3D XPoint難以與其匹敵。若與DRAM相比，3D XPoint雖能滿足特定條件且制造成本相對(duì)較低，但速度上仍慢于DRAM，因此目前來看，3D XPoint并不能輕易取代NAND Flash或DRAM。
無論能不能部分取代DRAM或NAND Flash的市場(chǎng)地位，在傳統(tǒng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，經(jīng)典存儲(chǔ)器架構(gòu)依舊會(huì)有需要填補(bǔ)的空白，為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)提供舞臺(tái)。在次世代存儲(chǔ)器與現(xiàn)有解決方案各有優(yōu)劣的情況下，能否放量的關(guān)鍵仍是價(jià)格考量，而決定當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格最重要因素是需求與供給牽動(dòng)的產(chǎn)業(yè)庫(kù)存增減。
DRAM與NAND目前皆處于供過于求，使得現(xiàn)有存儲(chǔ)器解決方案價(jià)格維持下跌。以DRAM來說，價(jià)格持續(xù)下跌基本上是受到服務(wù)器與智能型手機(jī)需求下滑，導(dǎo)致消耗量急凍與庫(kù)存攀高；而NAND除了需求疲弱，也因競(jìng)爭(zhēng)者眾多，容易陷入市占爭(zhēng)奪狀態(tài)，且由2D NAND轉(zhuǎn)向不同程度的3D NAND造成供給位元大幅度增長(zhǎng)。綜上所述，2019年DRAM與NAND價(jià)格同時(shí)快速滑落，且NAND價(jià)格正逐漸逼近廠商的現(xiàn)金成本。
隨著現(xiàn)有存儲(chǔ)器解決方案價(jià)格在2019年大幅滑落，對(duì)次世代存儲(chǔ)器來說并非最好的發(fā)展條件，但展望未來，需求陸續(xù)回溫與價(jià)格彈性帶動(dòng)的庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能，可望使2020年存儲(chǔ)器價(jià)格止跌反彈，讓次世代解決方案更有機(jī)會(huì)放量，尤其是超大規(guī)模資料中心擁有相對(duì)高程度的客制化設(shè)計(jì)，可針對(duì)不同存儲(chǔ)器規(guī)劃新的配置。拓墣認(rèn)為，未來隨著次世代存儲(chǔ)器制造成本進(jìn)一步下降，市場(chǎng)在接下來幾年，將在特殊領(lǐng)域中逐漸增加次世代存儲(chǔ)器的考量與運(yùn)用，成為現(xiàn)有解決方案的另一個(gè)新選項(xiàng)。
來源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院
