歷經(jīng)一年多的景氣循環(huán)，存儲器廠商庫存去化有成，加上供給端新增產(chǎn)能有限，今年受惠 5G 時代來臨，供需將趨于平衡，甚至可望供不應(yīng)求；由于產(chǎn)業(yè)將迎來好年，臺廠今年也將陸續(xù)有新制程技術(shù)問世，搭上產(chǎn)業(yè)景氣步入上升循環(huán)的多頭行情。

過去一年多以來，DRAM 原廠去化庫存有成，除去年第 3 季旺季需求順利啟動外，市場新產(chǎn)能也有限，在 5G 需求帶動下，加上智能音箱、4K/8K 電視、ADAS (先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))、物聯(lián)網(wǎng)與AI等，也將持續(xù)推升 DRAM 需求，業(yè)者看好，今年 DRAM 供需將趨于穩(wěn)定，下半年甚至可能供不應(yīng)求。

NAND Flash 除供應(yīng)商庫存持續(xù)下降、供給成長也保守，同樣受惠 5G 需求驅(qū)動，加上筆電搭載 SSD 比重與容量顯著提升，數(shù)據(jù)中心客戶也積極備貨，且次世代游戲主機(jī)將搭載 SSD 規(guī)格提升等，均成為刺激 NAND Flash 需求增溫的動能，今年 NAND 價格可望走出去年雪崩慘況、穩(wěn)健向上，下半年也可能面臨供給短缺情況。

就在存儲器產(chǎn)業(yè)景氣將走出去年谷底之時，臺廠新制程技術(shù)也將在今年相繼問世。旺宏 (Macronix) 的NOR Flash 與 NAND Flash 產(chǎn)品線，一路走來均堅持自主研發(fā)技術(shù)，去年成功量產(chǎn) 19 納米 SLC NAND Flash，持續(xù)追趕 NAND Flash 廠商腳步，第一批產(chǎn)品 SLC NAND Flash 4GB 產(chǎn)品已出貨美國機(jī)上盒大客戶。

除 SLC NAND 外，旺宏今年下半年將量產(chǎn) 48 層 3D NAND Flash，屆時游戲機(jī)大客戶也可望采用，旺宏并預(yù)計于 2021 年量產(chǎn) 96 層 3D NAND、2022 年量產(chǎn) 192 層 3D NAND。

華邦電 (Winbond) 擁有工研院技轉(zhuǎn)背景，早期 DRAM 制程主要來自由英飛凌分割出來的奇夢達(dá)授權(quán)，但在奇夢達(dá)倒閉后，華邦電買下其 46 納米 DRAM 制程技術(shù)，成為其自主研發(fā)基礎(chǔ)，而后成功自主開發(fā) 38 納米技術(shù)，并于 2018 年第 4 季開始小幅量產(chǎn) 25 納米 DRAM 制程技術(shù)。

然而，2018 年第 3 季起，DRAM 產(chǎn)業(yè)受中美貿(mào)易摩擦影響，加上終端需求趨緩，且供給端集中在下半年開出，DRAM 價格在第 4 季終結(jié)連 9 季上揚(yáng)態(tài)勢，而華邦電 25 納米制程量產(chǎn)的時間點，剛好碰上 DRAM 市況反轉(zhuǎn)。

受到 DRAM 市況不佳影響，華邦電 25 納米新制程轉(zhuǎn)進(jìn)較為辛苦，客戶端驗證速度趨緩，價格壓力也更大，去年第 2 季 25 納米占整體 DRAM 營收占比僅約 2%，但第 3 季起受惠傳統(tǒng)旺季需求順利啟動，到第 4 季時占比已成長至 6%，惟受到 DRAM 價格下滑沖擊，加上 25 納米開發(fā)成本高，第 4 季單季營運(yùn)因此轉(zhuǎn)虧。

不過，華邦電看好，25 納米制程良率本季將趨于穩(wěn)定，新制程轉(zhuǎn)進(jìn)可望逐步步入軌道；而為下世代 20 納米技術(shù)做準(zhǔn)備，華邦電也將在中科 12 吋廠進(jìn)行新制程研發(fā)，新設(shè)備裝機(jī)導(dǎo)入預(yù)計今年第 2、3 季可望到位。

南亞科 (NANYA) 目前主力為 20 納米制程技術(shù)，來自美光授權(quán)，今年初并宣布成功開發(fā)出 10 納米級 DRAM 新型記憶胞技術(shù)，再度走回自主研發(fā)之路，第一代 10 納米級前導(dǎo)產(chǎn)品 8Gb DDR4、LPDDR4 及 DDR5，涵蓋消費(fèi)型、低功率與標(biāo)準(zhǔn)型產(chǎn)品，預(yù)計今年下半年陸續(xù)進(jìn)入試產(chǎn)。

第二代 10 納米級制程技術(shù)已進(jìn)入研發(fā)階段，預(yù)計 2022 年前試產(chǎn)，也會開發(fā)第三代 10 納米級制程技術(shù)，確立下世代 10 納米級 DRAM 將采用自主研發(fā)技術(shù)，不再走授權(quán)，擺脫動輒上百億元的授權(quán)金與專利費(fèi)用。

雖然目前臺廠在 DRAM 與 NAND Flash 市場，市占率仍不高，不過，由于各家存儲器廠自主研發(fā)的新制程技術(shù)陸續(xù)量產(chǎn)，與廠商間的技術(shù)差距也逐步縮小，而受惠 5G 商機(jī)推升產(chǎn)業(yè)需求揚(yáng)升，今年存儲器將迎來好年，新制程技術(shù)的轉(zhuǎn)進(jìn)也可望搭上這波景氣上升循環(huán)，趁勢起飛。