DRAM大廠南亞科獲得美系資料中心大廠服務(wù)器用DRAM大單之后，公司決定加速10納米高端制程研發(fā)腳步，除擴(kuò)增資本支出之外，也增加研發(fā)人力，預(yù)期第一個(gè)世代的1A制程，可在下半年試產(chǎn)；10納米第二世代1B制程，也可望提前在明年下半年試產(chǎn)。

據(jù)了解，南亞科的1A及1B，甚至第三世代1C，都將以切入毛利率較高的服務(wù)器用DRAM和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM為重心，公司將藉制程推動(dòng)，達(dá)到營(yíng)收、獲利穩(wěn)步提升的目標(biāo)。

南亞科已決定在10納米制程技術(shù)自主，不再向美光尋求技術(shù)授權(quán)，凸顯公司決策層認(rèn)為已累積堅(jiān)強(qiáng)的研發(fā)實(shí)力，未來(lái)可藉由擴(kuò)充研發(fā)人力，在10納米制程寫下技術(shù)自主的新頁(yè)。

南亞科在臺(tái)塑集團(tuán)支援下，董事會(huì)先前已通過(guò)將資本支出由新臺(tái)幣92億元上調(diào)至157.6億元，用以建置10納米試產(chǎn)線，沖刺10納米制程技術(shù)自主研發(fā)。

南亞科10納米分成A、B、C三個(gè)世代，和美光原本的20納米相比，就是南亞科采用的記憶儲(chǔ)存細(xì)胞（Cell）可進(jìn)行微縮，因此可由1A逐步推進(jìn)至1B再到1C。

南亞科總經(jīng)理李培瑛日前在法說(shuō)會(huì)中透露，南亞科的1A世代已預(yù)定今年下半年試產(chǎn)，1B制程技術(shù)也開(kāi)始研發(fā)階段，且原訂2022年前試產(chǎn)，但目前看來(lái)將會(huì)提前在2021年進(jìn)行。

他透露，拓展服務(wù)器用DRAM是公司今年努力目標(biāo)。上半年服務(wù)器用DRAM營(yíng)收占比約低個(gè)位數(shù)，今年朝10%目標(biāo)努力。

法人透露，南亞科服務(wù)器用DRAM，是在向美光取得20納米授權(quán)基礎(chǔ)下，成功以20納米產(chǎn)生8Gb DDR4 DRAM。這項(xiàng)重大技術(shù)突破，也讓南亞科有信心在10納米達(dá)成技術(shù)自主。

據(jù)了解，南亞科的服務(wù)器用DDR 4 DRAM除了獲北美資料中心大廠驗(yàn)證并出貨，后續(xù)還包括中國(guó)大陸客戶。