三星官宣：完成5納米EUV工藝研發(fā)，將向客戶提供樣品
4月16日，三星官網(wǎng)發(fā)布新聞稿，宣布已經(jīng)完成5納米FinFET工藝技術(shù)開發(fā)，現(xiàn)已準(zhǔn)備好向客戶提供樣品。與7納米工藝相比，三星的5納米FinFET工藝技術(shù)提供了高達(dá)25%的邏輯面積效率提升。同
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EUV光刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)仍存，本土企業(yè)如何突破技術(shù)成本關(guān)?
光刻是芯片制造技術(shù)的主要環(huán)節(jié)之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻機(jī)進(jìn)行的。但是193nm的光刻技術(shù)依然無法支撐40nm以下的工藝生產(chǎn)，為了突破工藝極限，廠商不得不將193nm液浸技